IRF6662TR1PBF
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IRF6662TR1PBF參數：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
產品目錄繪圖： IRHexfetCircuit
標準包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：8.3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：22毫歐@8.2A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1360pF@25V
功率-最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MZ
供應商器件封裝：DIRECTFET?MZ