IRF6662TR1PBF
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IRF6662TR1PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：8.3A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：22毫歐@8.2A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4.9V@100µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1360pF@25V
功率-最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MZ
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MZ