IRF6702M2DTRPBF參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNObsolescence： (EP)Parts25/May/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：15A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：6.6毫歐@15A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：14nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1380pF@15V功率-最大值：2.7W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET?等容MA供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MA
