IRF7105PBF參數(shù):MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝:95系列:HEXFET®包裝:管件FET類型:N和P溝道FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):3.5A,2.3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):100毫歐@1A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):330pF@15V功率-最大值:2W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SO