IRF7316TRPBF參數：MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設計資源： IRF7316TRPBFSaberModel IRF7316TRPBFSpiceModel標準包裝：4,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4.9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：58毫歐@4.9A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：34nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：710pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SO
