NIC9N05ACLF參數：IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1系列：-包裝：*FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：52V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：95 毫歐 @ 12A，12V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：250pF @ 40V功率 - 最大值：1.74W安裝類型：*封裝：*供應商器件封裝：*
<rt id="uyagm"></rt>
<li id="uyagm"></li>
