PSMN3R8-30LL,115參數(shù)：MOSFET N-CH 30V QFN3333
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,400系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：40A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 10A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2085pF @ 15V功率 - 最大值：69W安裝類型：表面貼裝封裝：8-VDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-DFN3333（3.3x3.3）
