STB23NM60N
PDF資料下載

STB23NM60N參數：MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：MDmesh™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：19A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2050pF @ 50V
功率 - 最大值：150W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D2PAK