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STB8N65M5參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STB8N65M5ViewAllSpecifications產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： 5thGenerationHighVoltageMosfetTechnology標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：MDmesh™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：600毫歐@3.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：690pF@100V功率-最大值：70W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
